窃取商业机密清华大学毕业男认罪

一名华裔男子此前涉嫌盗取通用电气公司(GE)机密技术文件而被捕，被控窃取商业机密罪，28日他在纽约北区联邦法院承认罪行，将于9月22日接受量刑，最高恐面临10年监禁以及最高25万元罚款。
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根据认罪协议，42岁的隋杨(Yang Sui，姓名皆音译)居住在纽约上州Niskayuna，是通用电气前员工，他承认2015年至2017年间从通用窃取多个电子文件，这些文件内包括碳化硅材质的金属氧化物半导体场效电晶体 (metal-oxide semiconductor field-effect transistors，简称MOSFETs)研究、设计和制造的相关信息，碳化硅MOSFETs广泛使用于通用电气公司的产品中，如航空设备和风力涡轮机等。

根据领英网(LinkedIn)上隋杨的个人页面信息，他在哈尔滨读完高中后考上清华大学，攻读材料科学，之后在爱阿华州立大学和普渡大学分别获取硕士和博士学位，博士期间他曾担任多个校内组织和俱乐部的主席，并从事研究助理工作；2010年10月至2018年1月，他在位于Niskayuna的通用集团全球研发中心担任半导体装置工程师，并发表过至少18篇学术文章。

隋杨被控窃取商业机密罪，28日认罪，将于9月22日接受量刑，最高面临10年监禁和3年狱后监管，以及最高25万元罚款或缴纳其通过罪行所得金额2倍的罚款。

隋杨并非首位因涉嫌窃取机密被捕的通用公司华裔员工，此前还有一名通用电气工程师郑晓青(Xiaoqing Zheng)也涉嫌窃取机密技术文件，于2018年被捕，2019年4月被控以经济间谍、共谋窃取商业机密等14项罪名，将面临最高30年监禁。