韓國研究新FRAM技術成功,將是現在的一千倍

來源:https://news.unist.ac.kr/breakthrough-research-could-increase-chip-storage-capacity-upto-1000-times/

韓國國立蔚山科學技術研究院(UNIST)日前正式宣布找到一個新方法,能讓現在的閃存芯片每平方公分存儲量由現在的0.1bit,提升至500以上。(詳細方法見來源介紹)

FRAM被業界認為是取代DRAM或SDRAM的 下一代產品,目前已經應用在USB,其優勢是速度更快,功耗更低,甚至在電源關閉後仍能保留存儲的數據。

但是,當前FeRAM的一個主要缺點是它的存儲容量有限。

此項研究有三星電子贊助,韓國政府支持。其成果論文已被發表在2020年7月2日的《科學》雜誌上。
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分享 2020-08-24

5 个评论

南高麗確實是發達國,支那差遠了
现在的芯片组和CPU性能连SDRAM都跑不满,这玩意民用化了我骨头都风化了
现在的芯片组和CPU性能连SDRAM都跑不满,这玩意民用化了我骨头都风化了

不懂行

現在的RAM性能是很高,但現在的其他部件跟不上都在拖後腳?
赶紧派匪碟过去偷啊,还等什么?要不申请个假专利跟人家打官司碰瓷。

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