幫忙看看這個是是否是真的？說這個突破歐美封鎖中國晶片公司取得 7nm或以下晶片關鍵技術？
近年美國禁止中國輸入關鍵晶片及最先進的等晶片製作工具，被中國視為是歐美在科技上的圍堵。最近中國上海微電子設備（集團）股份有限公司 (SMEE)，公佈了一系列製造 7 納米及以下晶片關鍵能力的專利，或許可以突破歐美的科技圍堵。
中國國家智慧財產局於 9 月10 日披露了一項名為「極紫外線輻射發生裝置及光刻設備」的發明專利，內容涉及極紫外線輻射（EUV）發生裝置及光刻設備，申請者為上海微電子裝備（集團）股份有限公司。
上海微電子此次揭露的專利主要涉及 EUV 光源及光刻設備，其中重點的極紫外線輻射發生器（光源）主要包括腔體、靶材產生器、雷射產生器、收集鏡、電極板、氣控部件等關鍵部件。
據資料來源指，極紫外線輻射 EUV 微影技術，是一種先進的晶片製造技術，可在半導體晶圓上繪製極其精細的電路，從而生產出更小、更強大的晶片。這項技術使用極紫外光（EUV）作為光源，比傳統微影技術能達到更高的精準度。擁有 EUV 光刻技術專利意味著掌握了製造 7 納米及以下晶片的關鍵能力。
近年美国禁止中国输入关键晶片及最先进的等晶片制作工具，被中国视为是欧美在科技上的围堵。最近中国上海微电子设备（集团）股份有限公司 (SMEE)，公布了一系列制造 7 纳米及以下晶片关键能力的专利，或许可以突破欧美的科技围堵。
中国国家智慧财产局于9 月10 日披露了一项名为「极紫外线辐射发生装置及光刻设备」的发明专利，内容涉及极紫外线辐射（EUV）发生装置及光刻设备，申请者为上海微电子装备（集团）股份有限公司。
上海微电子此次揭露的专利主要涉及EUV 光源及光刻设备，其中重点的极紫外线辐射发生器（光源）主要包括腔体、靶材产生器、雷射产生器、收集镜、电极板、气控部件等关键部件。
据资料来源指，极紫外线辐射 EUV 微影技术，是一种先进的晶片制造技术，可在半导体晶圆上绘制极其精细的电路，从而生产出更小、更强大的晶片。这项技术使用极紫外光（EUV）作为光源，比传统微影技术能达到更高的精准度。拥有 EUV 光刻技术专利意味着掌握了制造 7 纳米及以下晶片的关键能力。
然後說說德國之聲報導的，話說德國之聲是親中媒體嗎？
原文連結：
https://www.dcfever.com/news/readnews.php?id=38273
中國國家智慧財產局於 9 月10 日披露了一項名為「極紫外線輻射發生裝置及光刻設備」的發明專利，內容涉及極紫外線輻射（EUV）發生裝置及光刻設備，申請者為上海微電子裝備（集團）股份有限公司。
上海微電子此次揭露的專利主要涉及 EUV 光源及光刻設備，其中重點的極紫外線輻射發生器（光源）主要包括腔體、靶材產生器、雷射產生器、收集鏡、電極板、氣控部件等關鍵部件。
據資料來源指，極紫外線輻射 EUV 微影技術，是一種先進的晶片製造技術，可在半導體晶圓上繪製極其精細的電路，從而生產出更小、更強大的晶片。這項技術使用極紫外光（EUV）作為光源，比傳統微影技術能達到更高的精準度。擁有 EUV 光刻技術專利意味著掌握了製造 7 納米及以下晶片的關鍵能力。
近年美国禁止中国输入关键晶片及最先进的等晶片制作工具，被中国视为是欧美在科技上的围堵。最近中国上海微电子设备（集团）股份有限公司 (SMEE)，公布了一系列制造 7 纳米及以下晶片关键能力的专利，或许可以突破欧美的科技围堵。
中国国家智慧财产局于9 月10 日披露了一项名为「极紫外线辐射发生装置及光刻设备」的发明专利，内容涉及极紫外线辐射（EUV）发生装置及光刻设备，申请者为上海微电子装备（集团）股份有限公司。
上海微电子此次揭露的专利主要涉及EUV 光源及光刻设备，其中重点的极紫外线辐射发生器（光源）主要包括腔体、靶材产生器、雷射产生器、收集镜、电极板、气控部件等关键部件。
据资料来源指，极紫外线辐射 EUV 微影技术，是一种先进的晶片制造技术，可在半导体晶圆上绘制极其精细的电路，从而生产出更小、更强大的晶片。这项技术使用极紫外光（EUV）作为光源，比传统微影技术能达到更高的精准度。拥有 EUV 光刻技术专利意味着掌握了制造 7 纳米及以下晶片的关键能力。
然後說說德國之聲報導的，話說德國之聲是親中媒體嗎？
原文連結：
https://www.dcfever.com/news/readnews.php?id=38273
湾友你好，转成简体，愿意看的人多一些。
正体字笔画太稠密，阅读有心理障碍。
正体字笔画太稠密，阅读有心理障碍。
你把这些做个记录 明年来核实
我作为专业颠覆势力做了前几年的发现全都扯淡
我作为专业颠覆势力做了前几年的发现全都扯淡
中国共产党为啥不自主研发曝光颜色革命的机器？掌握了真理，欧亚大陆大一统指日可待。
如果不是說突然發明出一、二奈米，而是可突破七奈米，那是有可能。
但問題是良品率是幾多？要是只有百份之一、二那都是沒有意思。
早前大煉芯，大量人騙補貼，現在是不是真都很難說。
但問題是良品率是幾多？要是只有百份之一、二那都是沒有意思。
早前大煉芯，大量人騙補貼，現在是不是真都很難說。
当然是假的，是大跃进式放卫星宣传用语，给小粉红的特供新闻，真实目的是哄骗习近平继续加仓。
信了信了，中國科技實力No,1 in the world.別說7奈米，0.7奈米。只要共匪敢說我就敢信。
中國製造，一個不可企及的神話。一直在頂點，從未起伏過！😂
中國製造，一個不可企及的神話。一直在頂點，從未起伏過！😂
其实有人解释过 100个里面 做出1个来 也可以说突破
但这个成本太高了
中国不是做不出来 而是成品率相当低 记得20%都没有
而芯片至少得70%以上 才能算及格
（具体数字不太记得了 见谅）
文中的突破 大概率是为了套政府补贴及搞股票
但这个成本太高了
中国不是做不出来 而是成品率相当低 记得20%都没有
而芯片至少得70%以上 才能算及格
（具体数字不太记得了 见谅）
文中的突破 大概率是为了套政府补贴及搞股票
专利、关键能力、关键技术，都是面向纸面的东西，突破技术不等于能造出实物。从纸面到实物，可实现性如何？造出来后成本如何？良率如何？都是未知数。
你這個報道引用是中國媒體，一般就算被稱為藍媒的香港01也只敢報道28nm光刻機，這些垃圾媒體別再看了。
參數來看，分辨率為≤65nm，套刻精度≤8nm。
套刻精度則指的是每一層曝光層之間的對準精度。晶片的製造過程，是將很多層的曝光圖案一層一層的實現，並堆疊而成。一層圖案曝光完成後，需要再在上面繼續進行下一層圖案的曝光，而兩層之間需要精準對準，這個對準的精度就是套刻精度，並不是指能夠製造的晶片的工藝製程節點。
而分辨率為65nm即使依靠多重曝光技術仍並未達到可以生產28nm晶片的程度，更達不到製造什麼7nm晶片的程度
參數來看，分辨率為≤65nm，套刻精度≤8nm。
套刻精度則指的是每一層曝光層之間的對準精度。晶片的製造過程，是將很多層的曝光圖案一層一層的實現，並堆疊而成。一層圖案曝光完成後，需要再在上面繼續進行下一層圖案的曝光，而兩層之間需要精準對準，這個對準的精度就是套刻精度，並不是指能夠製造的晶片的工藝製程節點。
而分辨率為65nm即使依靠多重曝光技術仍並未達到可以生產28nm晶片的程度，更達不到製造什麼7nm晶片的程度
